| 制造商编号 | IPD65R950C6 |
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| 商品别名 | IPD65R950C6ATMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPD65R950C6 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：37W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs：950mΩ@1.5A,10V 工作温度：-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳：DPAK
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | CoolMOS™ C6 | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 200µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.3nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 328pF @ 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 37W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 950mΩ@1.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 700V | |
| 连续漏极电流Id | 4.5A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
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交期： 3天-5天 |
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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