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STB55NF06T4  与  IRL3705NSTRLPBF  区别

型号 STB55NF06T4 IRL3705NSTRLPBF
唯样编号 A-STB55NF06T4 A36-IRL3705NSTRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 89A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
库存与单价
库存 0 65
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.557
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
IRFZ44NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥3.5163 

阶梯数 价格
1: ¥3.5163
25: ¥3.2558
100: ¥3.0147
200 对比
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥7.557 

阶梯数 价格
7: ¥7.557
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IRFS3806 Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK(TO-263)

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