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STB55NF06T4  与  IRFZ44NSTRLPBF  区别

型号 STB55NF06T4 IRFZ44NSTRLPBF
唯样编号 A-STB55NF06T4 A32-IRFZ44NSTRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.5mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),94W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 49A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1470pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1470pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.5163
25+ :  ¥3.2558
100+ :  ¥3.0147
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

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D2PAK

¥3.5163 

阶梯数 价格
1: ¥3.5163
25: ¥3.2558
100: ¥3.0147
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¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
400: ¥4.4396
800: ¥4.073
0 对比

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