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SPD30P06PGBTMA1  与  IRFR5305TRLPBF  区别

型号 SPD30P06PGBTMA1 IRFR5305TRLPBF
唯样编号 A-SPD30P06PGBTMA1 A-IRFR5305TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@16A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 21.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.7mA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD30P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.751 

阶梯数 价格
20: ¥3.751
100: ¥2.882
1,250: ¥2.508
2,500: ¥2.365
4,602 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
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D-Pak

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
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D-Pak

暂无价格 0 对比

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