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SI4403DDY-T1-GE3  与  DMP2022LSS-13  区别

型号 SI4403DDY-T1-GE3 DMP2022LSS-13
唯样编号 A-SI4403DDY-T1-GE3 A3-DMP2022LSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13mΩ@10A,10V
上升时间 - 9.9ns
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
Qg-栅极电荷 - 56.9nC
栅极电压Vgs - ±12V
典型关闭延迟时间 - 108ns
正向跨导 - 最小值 - 28S
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SO-8 SOP-8
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - DMP2022
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2444pF @ 10V
长度 - 5.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 76.5ns
典型接通延迟时间 - 7.5ns
高度 - 1.50mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
1,187 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比

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