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SI4386DY-T1-GE3  与  AO4476AL  区别

型号 SI4386DY-T1-GE3 AO4476AL
唯样编号 A-SI4386DY-T1-GE3 A-AO4476AL
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id - 15A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 SI4 -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.7 mΩ @ 15A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3.1W(Ta)
电压 30V -
栅极电荷Qg - 24nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4386DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8 3.1W

暂无价格 0 当前型号
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4476AL AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta) N-Channel ±20V 7.7 mΩ @ 15A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4498EL AOS  数据手册 功率MOSFET

18A(Ta) N-Channel ±20V 5.8 mΩ @ 18A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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