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SI4386DY-T1-GE3  与  AO4430  区别

型号 SI4386DY-T1-GE3 AO4430
唯样编号 A-SI4386DY-T1-GE3 A-AO4430
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 355
Td(off)(ns) - 51.5
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - 30V
Rds On(Max)@4.5V - 7.5mΩ
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3W
Qrr(nC) - 22 Ohms
VGS(th) - 2.5
Qgd(nC) - 15
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 SO-8 SO-8
连续漏极电流Id - 18A
系列 SI4 -
Ciss(pF) - 6060
电压 30V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 33.5
Coss(pF) - 638
Qg*(nC) - 48
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4386DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8 3.1W

暂无价格 0 当前型号
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

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AO4476AL AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta) N-Channel ±20V 7.7 mΩ @ 15A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4498EL AOS  数据手册 功率MOSFET

18A(Ta) N-Channel ±20V 5.8 mΩ @ 18A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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