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SI2323DDS-T1-GE3  与  DMP2100UQ-7  区别

型号 SI2323DDS-T1-GE3 DMP2100UQ-7
唯样编号 A-SI2323DDS-T1-GE3 A36-DMP2100UQ-7-0
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@4.1A,4.5V -
漏源极电压Vds -20V 20V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) 800mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 38mΩ@3.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 216 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.1 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id -5.3A 4.3A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 0 7,900
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0799
80+ :  ¥0.6574
200+ :  ¥0.5008
1,500+ :  ¥0.4365
3,000+ :  ¥0.3861
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2323DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V

¥1.0799 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0799
0 当前型号
PMV33UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV33UPE_SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A

¥2.7637 

阶梯数 价格
10: ¥2.7637
100: ¥2.0472
1,000: ¥1.587
1,500: ¥1.3008
3,000: ¥1.1934
200,964 对比
AO3415A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
57,167 对比
DMP2100UQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.3A(Ta) 车规

¥0.6574 

阶梯数 价格
80: ¥0.6574
200: ¥0.5008
1,500: ¥0.4365
3,000: ¥0.3861
7,900 对比
DMG3415U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4A 900mW 39mΩ@4A,4.5V 20V ±8V P-Channel

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.39
7,053 对比
AO3415A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃

暂无价格 6,000 对比

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