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功率MOSFET   ±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V

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制造商编号 SI2323DDS-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SI2323DDS-T1-GE3
供货 自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 SI
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
FET类型 P-Channel
连续漏极电流Id -5.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@4.1A,4.5V
漏源极电压Vds -20V
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商品简介

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