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SI2303CDS-T1-GE3  与  DMP3160L-7  区别

型号 SI2303CDS-T1-GE3 DMP3160L-7
唯样编号 A-SI2303CDS-T1-GE3 A3-DMP3160L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm 1.3mm
零件号别名 SI2303BDS-T1-E3-S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±20V 1.3V
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A 2.7A
配置 - Single
长度 2.9 mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
高度 1.45 mm 1mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),2.3W(Tc) 1.08W
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
FET类型 P-Channel -
系列 SI DMP31
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 155pF @ 15V 227pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta),2.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 1.9A 190mΩ

暂无价格 30 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
200: ¥0.3133
1,500: ¥0.2717
3,506 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
SI2303 MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
DMP3120L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 120mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 2.8A

暂无价格 0 对比

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