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SI2303CDS-T1-GE3  与  SI2303  区别

型号 SI2303CDS-T1-GE3 SI2303
唯样编号 A-SI2303CDS-T1-GE3 A-SI2303-1
制造商 Vishay MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
零件号别名 SI2303BDS-T1-E3-S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),2.3W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 1.9A -
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
长度 2.9 mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 155pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
高度 1.45 mm -
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta),2.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 1.9A 190mΩ

暂无价格 30 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
200: ¥0.3133
1,500: ¥0.2717
3,506 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
SI2303 MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
DMP3120L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 120mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 2.8A

暂无价格 0 对比

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