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SI1023X-T1-GE3  与  EM6J1T2R  区别

型号 SI1023X-T1-GE3 EM6J1T2R
唯样编号 A-SI1023X-T1-GE3 A33-EM6J1T2R
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Si1023X Series Dual P-Channel 20 V 1.2 Ohm 250 mW SMT Power Mosfet - SOT-563
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2 Ohms @ 350mA,4.5V 1.2Ω@200mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 250mW 150mW
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
Vgs(th) 450mV @ 250uA(最小) -
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 2P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT-563 SOT-563-6
连续漏极电流Id 370mA 200mA
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
系列 - EM6J1
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
库存与单价
库存 0 7,600
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥2.1753
100+ :  ¥1.6099
500+ :  ¥1.4949
1,000+ :  ¥1.4087
2,000+ :  ¥1.3416
4,000+ :  ¥1.3416
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1023X-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

370mA 2P-Channel 1.2 Ohms @ 350mA,4.5V 250mW SOT-563 -55℃~150℃ 20V

暂无价格 0 当前型号
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

¥2.1753 

阶梯数 价格
70: ¥2.1753
100: ¥1.6099
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4087
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.3416
8,000 对比
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

¥2.1753 

阶梯数 价格
70: ¥2.1753
100: ¥1.6099
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4087
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.3416
7,600 对比
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
3,879 对比
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
160 对比
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

暂无价格 46 对比

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