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SH8KA4TB  与  DMN3033LSD-13  区别

型号 SH8KA4TB DMN3033LSD-13
唯样编号 A-SH8KA4TB A36-DMN3033LSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.4mΩ@9A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@6.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 725pF @ 15V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9A 6.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 4,954
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥8.0438
100+ :  ¥4.5608
1,250+ :  ¥2.8916
2,500+ :  ¥2.1542
40+ :  ¥1.617
100+ :  ¥1.243
1,250+ :  ¥1.0835
2,500+ :  ¥1.023
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥8.0438 

阶梯数 价格
1: ¥8.0438
100: ¥4.5608
1,250: ¥2.8916
2,500: ¥2.1542
100 当前型号
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
1,250: ¥1.0835
2,500: ¥1.023
4,954 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.046
750: ¥1.837
1,500: ¥1.727
3,000: ¥1.65
3,194 对比
AO4924 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2 

阶梯数 价格
1: ¥2
100: ¥1.5918
1,000: ¥1.1471
1,500: ¥0.9873
3,000: ¥0.78
3,000 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8712
1,500: ¥0.7579
2,520 对比
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 2,500 对比

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