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RSJ650N10TL  与  IRFS4410TRLPBF  区别

型号 RSJ650N10TL IRFS4410TRLPBF
唯样编号 A-RSJ650N10TL A-IRFS4410TRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 200 W 180 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@32.5A,10V 10mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D²PAK(TO-263AB)
连续漏极电流Id 65A 96A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 RSJ650N10 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 998 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥45.4704
100+ :  ¥26.2819
1,000+ :  ¥16.6627
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥45.4704 

阶梯数 价格
1: ¥45.4704
100: ¥26.2819
1,000: ¥16.6627
998 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
BUK9611-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9611-80E_SOT404

¥9.1806 

阶梯数 价格
210: ¥9.1806
400: ¥7.7802
800: ¥7.1378
0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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