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RSJ550N10TL  与  IRF3710STRLPBF  区别

型号 RSJ550N10TL IRF3710STRLPBF
唯样编号 A-RSJ550N10TL A-IRF3710STRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.8mΩ@27.5A,10V 23mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 55A 57A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥28.3114
100+ :  ¥16.364
1,000+ :  ¥10.3748
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ550N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

55A 16.8mΩ@27.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel ±20V 100W 150°C(TJ)

¥28.3114 

阶梯数 价格
1: ¥28.3114
100: ¥16.364
1,000: ¥10.3748
100 当前型号
BUK9620-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9620-100B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 1.58V 100V 63A

¥8.9596 

阶梯数 价格
210: ¥8.9596
400: ¥7.5929
800: ¥6.966
0 对比
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF3710ZS Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 59A(Tc) ±20V 160W(Tc) 18mΩ@35A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比
IRL2910SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 55A 26mΩ 3.8W

暂无价格 0 对比
IRF3710ZS Infineon  数据手册 功率MOSFET

18mΩ 100V D2PAK (TO-263) N-Channel 20V 59A

暂无价格 0 对比

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