制造商编号 | IRF3710ZS |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRF3710ZS |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
Moisture Level | 1 Ohms | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ | |
漏源极电压Vds | 100V | |
封装/外壳 | D2PAK (TO-263) | |
Tj max | 175.0°C | |
QG | 82.0nC | |
Budgetary Price €/1k | 0.69 | |
Ptot max | 160.0W | |
FET类型 | N-Channel | |
Qgd | 27.0nC | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Mounting | SMD | |
RthJC max | 0.92K/W | |
连续漏极电流Id | 59A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQD50N06 | 30,000 |
PMLL4148L,115 | 30,000 |
LN4501LT1G | 25,700 |
PXN012-60QLJ | 18,880 |
100N03A | 12,500 |