首页 > 商品目录 > > > > RS6P060BHTB1代替型号比较

RS6P060BHTB1  与  BSC098N10NS5  区别

型号 RS6P060BHTB1 BSC098N10NS5
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-BSC098N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 9.8mΩ@30A,10V
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 69W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 17ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) PG-TDSON-8-7
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 60A
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 100 5,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
100 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-7

暂无价格 5,000 对比
IRF7473 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7490 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7495 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7853 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售