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RS6P060BHTB1  与  BSC098N10NS5  区别

型号 RS6P060BHTB1 BSC098N10NS5
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-BSC098N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 9.8mΩ@30A,10V
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 69W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 17ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) PG-TDSON-8-7
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 60A
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 95 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7

暂无价格 0 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.864 

阶梯数 价格
8: ¥6.864
100: ¥5.72
750: ¥5.291
1,500: ¥5.049
3,000: ¥4.851
25,290 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
1,250: ¥1.727
2,500: ¥1.65
6,758 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
579 对比
SI7454FDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8 Single -55℃~150℃ 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel

暂无价格 30 对比

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