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RS6N120BHTB1  与  SI7852DP-T1-GE3  区别

型号 RS6N120BHTB1 SI7852DP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6N120BHTB1 A36-SI7852DP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 16.5mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 104W 1.9W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 SOIC-8
连续漏极电流Id ±135A 7.6A(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SI
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 7,993
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
6+ :  ¥9.02
100+ :  ¥7.854
750+ :  ¥7.139
1,500+ :  ¥6.864
3,000+ :  ¥6.6
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOIC-8

¥9.02 

阶梯数 价格
6: ¥9.02
100: ¥7.854
750: ¥7.139
1,500: ¥6.864
3,000: ¥6.6
7,993 对比
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