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RS3E095BNGZETB  与  AO4406A  区别

型号 RS3E095BNGZETB AO4406A
唯样编号 A-RS3E095BNGZETB A36-AO4406A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.5A,10V 11.5mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 3.1W
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 13A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 7
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,420 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 7 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
IRF8707G Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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