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RS1G260MNTB  与  DMTH4004SPSQ-13  区别

型号 RS1G260MNTB DMTH4004SPSQ-13
唯样编号 A-RS1G260MNTB A3-DMTH4004SPSQ-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.6W(Ta), 167W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@26A,10V 2.7 毫欧 @ 90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),35W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 26A(Ta) 31A(Ta),100A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2988pF @ 20V 4305pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V 68.6nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥15.6076
100+ :  ¥9.0212
1,250+ :  ¥5.7194
2,500+ :  ¥4.1351
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1G260MNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 26A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 3.3mΩ@26A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥15.6076 

阶梯数 价格
1: ¥15.6076
100: ¥9.0212
1,250: ¥5.7194
2,500: ¥4.1351
100 当前型号
DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.6W(Ta),167W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 40V 31A(Ta),100A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 31A(Ta),100A(Tc) ±20V 2.7 毫欧 @ 90A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规

暂无价格 0 对比
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 31A(Ta),100A(Tc) ±20V 2.7 毫欧 @ 90A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规

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IPC90N04S5L3R3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC90N04S5L-3R3_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

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IPC100N04S5-2R8 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC100N04S52R8ATMA1_40V 100A 2.8mΩ 2.2V,3.4V 车规

暂无价格 0 对比

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