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RS1G260MNTB  与  IPC90N04S5L3R3ATMA1  区别

型号 RS1G260MNTB IPC90N04S5L3R3ATMA1
唯样编号 A-RS1G260MNTB A-IPC90N04S5L3R3ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 62W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@26A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),35W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2145pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 26A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 23uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.3 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2988pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥15.6076
100+ :  ¥9.0212
1,250+ :  ¥5.7194
2,500+ :  ¥4.1351
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1G260MNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥15.6076 

阶梯数 价格
1: ¥15.6076
100: ¥9.0212
1,250: ¥5.7194
2,500: ¥4.1351
100 当前型号
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