首页 > 商品目录 > > > > RS1E200GNTB代替型号比较

RS1E200GNTB  与  IRFHM830TRPBF  区别

型号 RS1E200GNTB IRFHM830TRPBF
唯样编号 A-RS1E200GNTB A36-IRFHM830TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ 3.8mΩ@20A,10V
上升时间 7.2ns -
Qg-栅极电荷 16.8nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 18S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 HSOP-8 PQFN(3x3)
连续漏极电流Id 20A 21A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 8.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.7W(Ta),37W(Tc)
典型关闭延迟时间 34.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
典型接通延迟时间 13.2ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.992
100+ :  ¥2.398
1,000+ :  ¥2.134
2,000+ :  ¥2.024
4,000+ :  ¥1.925
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

暂无价格 0 当前型号
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(3x3)

¥2.992 

阶梯数 价格
20: ¥2.992
100: ¥2.398
1,000: ¥2.134
2,000: ¥2.024
4,000: ¥1.925
4,000 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
BSC883N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC883N03LSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售