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RS1E130GNTB  与  IRFH8337TRPBF  区别

型号 RS1E130GNTB IRFH8337TRPBF
唯样编号 A-RS1E130GNTB A-IRFH8337TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@13A,10V 12.8mΩ@16.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 22.2W 3.2W(Ta),27W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-HSOP PQFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 12A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 82 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.8972
100+ :  ¥3.4086
1,250+ :  ¥2.161
2,500+ :  ¥1.5624
暂无价格
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¥5.8972 

阶梯数 价格
1: ¥5.8972
100: ¥3.4086
1,250: ¥2.161
2,500: ¥1.5624
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