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RS1E130GNTB  与  BSC120N03LSGATMA1  区别

型号 RS1E130GNTB BSC120N03LSGATMA1
唯样编号 A-RS1E130GNTB A-BSC120N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@13A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 22.2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-HSOP 8-PowerTDFN
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 12A(Ta),39A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 82 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.8972
100+ :  ¥3.4086
1,250+ :  ¥2.161
2,500+ :  ¥1.5624
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¥5.8972 

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1: ¥5.8972
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