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RRH100P03GZETB  与  DMP3035LSS-13  区别

型号 RRH100P03GZETB DMP3035LSS-13
唯样编号 A-RRH100P03GZETB A3-DMP3035LSS-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.6mΩ@10A,10V 16mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 650mW(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOP
连续漏极电流Id 10A(Ta) 11A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1655pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH100P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
TPC8125,LQ(S Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1W(Ta) 8-SOP 150°C(TJ) 30 V 10A(Ta)

¥2.9418 

阶梯数 价格
60: ¥2.9418
100: ¥2.3765
500: ¥1.9932
859 对比
IRF9328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4435L_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4435L AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 2W(Ta) 16mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 11A

暂无价格 0 对比

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