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RRH100P03GZETB  与  TPC8125,LQ(S  区别

型号 RRH100P03GZETB TPC8125,LQ(S
唯样编号 A-RRH100P03GZETB A33-TPC8125,LQ(S
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.6mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 650mW(Ta) 1W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13 毫欧 @ 5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2580 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 64 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SOP
连续漏极电流Id 10A(Ta) 10A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - +20V,-25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 859
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥2.9418
100+ :  ¥2.3765
500+ :  ¥1.9932
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH100P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 14mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9559
2,500: ¥0.902
2,500 对比
IRF9328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4435L_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4435L AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 2W(Ta) 16mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 11A

暂无价格 0 对比

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