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RQ3E080GNTB  与  AON7408  区别

型号 RQ3E080GNTB AON7408
唯样编号 A-RQ3E080GNTB A36-AON7408
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 20mΩ@10V
上升时间 3.6ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Qg-栅极电荷 5.8nC -
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 7S -
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 8A 18A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 373
下降时间 2.4ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 15.8
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 11W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
典型关闭延迟时间 17.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 6.9ns -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 7.1
库存与单价
库存 0 786
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
460+ :  ¥2.1116
1,500+ :  ¥1.3388
3,000+ :  ¥0.9679
40+ :  ¥1.529
100+ :  ¥1.177
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.1116 

阶梯数 价格
460: ¥2.1116
1,500: ¥1.3388
3,000: ¥0.9679
0 当前型号
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 23mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerDI N-Channel 30V 7A

¥0.5693 

阶梯数 价格
90: ¥0.5693
9,299 对比
AON7406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V

¥0.5102 

阶梯数 价格
100: ¥0.5102
500: ¥0.3393
2,500: ¥0.2961
5,000: ¥0.2703
9,165 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
786 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 16 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 10 对比

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