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RQ3E080BNTB  与  BSZ130N03LSGATMA1  区别

型号 RQ3E080BNTB BSZ130N03LSGATMA1
唯样编号 A-RQ3E080BNTB A-BSZ130N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 970pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 8A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 13 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,745 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7923
100+ :  ¥2.77
1,500+ :  ¥1.7562
3,000+ :  ¥1.2697
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