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功率MOSFET   8-PowerVDFN

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制造商编号 RQ3E080BNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ3E080BNTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A(Ta) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta)
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 8A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerVDFN
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库存 :  2,745

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥4.7923
100+ ¥2.77
1,500+ ¥1.7562

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥1.2697
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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总价:

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最小包:3,000 
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8-PowerVDFN

¥4.7923 

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1: ¥4.7923
100: ¥2.77
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