首页 > 商品目录 > > > > RF4E100AJTCR代替型号比较

RF4E100AJTCR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E100AJTCR PMEG4010CEAX
唯样编号 A-RF4E100AJTCR A-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 肖特基(SBD)二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ@10A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerUDFN SOD-323
反向漏电流Ir - 8uA
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
正向浪涌电流Ifsm - 8A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V -
二极管电容 - 24pF@VR=1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 48 2
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥7.8889
100+ :  ¥4.5598
1,500+ :  ¥2.8909
3,000+ :  ¥2.0901
570+ :  ¥0.3677
1,000+ :  ¥0.285
1,500+ :  ¥0.2336
3,000+ :  ¥0.2067
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥7.8889 

阶梯数 价格
1: ¥7.8889
100: ¥4.5598
1,500: ¥2.8909
3,000: ¥2.0901
48 当前型号
AON2406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN2x2B

¥2.0513 

阶梯数 价格
1: ¥2.0513
100: ¥1.6327
1,000: ¥1.1765
1,500: ¥1.0127
3,000: ¥0.8
1,999 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.3677 

阶梯数 价格
570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
3,000: ¥0.2067
2 对比
AON2406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN2x2B

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.3784 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.3784
2,500: ¥1.1298
5,000: ¥1.0365
0 对比
AON2400 AOS 功率MOSFET

6-DFN-EP(2x2)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售