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RF4E100AJTCR  与  74LVCH2T45GT,115  区别

型号 RF4E100AJTCR 74LVCH2T45GT,115
唯样编号 A-RF4E100AJTCR A-74LVCH2T45GT,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 变换器/转换器
描述 IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ@10A,4.5V -
工作热阻 - 144,307
电源电压 - 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) -
传播延迟时间 - 2.5ns
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerUDFN SOT833
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40~125℃
输出电流 - ± 24mA
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V -
通道数 - 2
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
逻辑切换水平 - CMOS/LVTTL
库存与单价
库存 48 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥7.8889
100+ :  ¥4.5598
1,500+ :  ¥2.8909
3,000+ :  ¥2.0901
1,260+ :  ¥1.3784
2,500+ :  ¥1.1298
5,000+ :  ¥1.0365
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥7.8889 

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1: ¥7.8889
100: ¥4.5598
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1: ¥2.0513
100: ¥1.6327
1,000: ¥1.1765
1,500: ¥1.0127
3,000: ¥0.8
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570: ¥0.3677
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