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RF4E075ATTCR  与  SSM6J505NU,LF  区别

型号 RF4E075ATTCR SSM6J505NU,LF
唯样编号 A-RF4E075ATTCR A-SSM6J505NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 12 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.25W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12 毫欧 @ 4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 8-PowerUDFN 6-UDFNB(2x2)
连续漏极电流Id 7.5A(Ta) 12A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±6V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 46 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.8221
100+ :  ¥3.3652
1,500+ :  ¥2.1335
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-PowerUDFN

¥5.8221 

阶梯数 价格
1: ¥5.8221
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570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
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1,000: ¥1.1542
1,500: ¥0.9461
3,000: ¥0.8523
9,000 对比

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