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通用MOSFET   6-UDFNB(2x2)

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制造商编号 SSM6J505NU,LF
制 造 商 Toshiba(东芝)
唯样编号 A-SSM6J505NU,LF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
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商品目录 通用MOSFET
FET类型 P-Channel
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12 毫欧 @ 4A,4.5V
Vgs(th) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±6V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700 pF @ 10 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37.6 nC @ 4.5 V
产品状态 在售
封装/外壳 6-UDFNB(2x2)
工作温度 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Id 12A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.2V,4.5V
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