首页 > 商品目录 > > > > PSMN8R7-80PS,127代替型号比较

PSMN8R7-80PS,127  与  IRFB4410ZGPBF  区别

型号 PSMN8R7-80PS,127 IRFB4410ZGPBF
唯样编号 A-PSMN8R7-80PS,127 A-IRFB4410ZGPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W 230W(Tc)
输出电容 296pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A 97A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 3346pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.7mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.6038
50+ :  ¥7.0523
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78

¥8.6038 

阶梯数 价格
20: ¥8.6038
50: ¥7.0523
0 当前型号
AOTF288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

¥8.3673 

阶梯数 价格
1: ¥8.3673
100: ¥6.0294
500: ¥5.1899
1,000: ¥4.1
1,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP086N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT418L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IRFB4410ZGPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售