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PSMN8R7-80PS,127  与  IPP086N10N3GXKSA1  区别

型号 PSMN8R7-80PS,127 IPP086N10N3GXKSA1
唯样编号 A-PSMN8R7-80PS,127 A-IPP086N10N3GXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 50V
输出电容 296pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 75uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
输入电容 3346pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.6 毫欧 @ 73A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.7mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.6038
50+ :  ¥7.0523
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78

¥8.6038 

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