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PSMN7R0-100BS,118  与  AOB2918L  区别

型号 PSMN7R0-100BS,118 AOB2918L
唯样编号 A-PSMN7R0-100BS,118 A-AOB2918L
制造商 Nexperia AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 269W 2.1W(Ta),267W(Tc)
输出电容 438pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-2 TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 13A(Ta),90A(Tc)
输入电容 6686pF -
栅极电荷Qg - 53nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.8mΩ@15A,10V -
库存与单价
库存 145 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥15.1058
100+ :  ¥11.1895
400+ :  ¥9.4826
800+ :  ¥8.6996
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2

¥15.1058 

阶梯数 价格
10: ¥15.1058
100: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
145 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
50: ¥36.2694
100: ¥28.7856
500: ¥25.9013
900 对比
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
410 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
23 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB2918L AOS 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比

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