首页 > 商品目录 > > > > PSMN4R8-100BSEJ代替型号比较

PSMN4R8-100BSEJ  与  IPB120N08S4-04  区别

型号 PSMN4R8-100BSEJ IPB120N08S4-04
唯样编号 A-PSMN4R8-100BSEJ A-IPB120N08S4-04
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ
漏源极电压Vds 100V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 405W -
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V 2V,4V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -
连续漏极电流Id 120A 120A
Ptot max - 179.0W
输入电容 10665pF -
QG - 95.0nC
Rds On(max)@Id,Vgs 4.8mΩ@10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.94
RthJC max - 0.84K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥19.3901
400+ :  ¥16.4323
800+ :  ¥15.0755
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R8-100BSE_SOT404

¥19.3901 

阶梯数 价格
210: ¥19.3901
400: ¥16.4323
800: ¥15.0755
0 当前型号
IRLS4030PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRLS4030-7TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK7P

暂无价格 0 对比
IPB120N08S404ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB120N08S4-04_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB120N08S4-04 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB120N08S404ATMA1_

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售