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PSMN2R8-80BS,118  与  IPB031NE7N3GATMA1  区别

型号 PSMN2R8-80BS,118 IPB031NE7N3GATMA1
唯样编号 A-PSMN2R8-80BS,118 A-IPB031NE7N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 214W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 306W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8130pF @ 37.5V
输出电容 847pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 155uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
输入电容 9961pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.1 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
暂无价格
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