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PSMN2R6-60PSQ  与  IPP024N06N3GXKSA1  区别

型号 PSMN2R6-60PSQ IPP024N06N3GXKSA1
唯样编号 A-PSMN2R6-60PSQ A-IPP024N06N3GXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 326W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 23000pF @ 30V
输出电容 968pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 150A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 196uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 275nC @ 10V
输入电容 7629pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.6mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.1762
50+ :  ¥11.6198
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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