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功率MOSFET   TO-220AB

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 IRLB3036PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A33-IRLB3036PBF-0
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 60 V 380 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 270A
封装/外壳 TO-220AB
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库存 :  850

价格梯度 单价(含税)
6+ ¥27.1182
10+ ¥21.4646
50+ ¥20.7939
100+ ¥20.1231
500+ ¥19.8356
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:1,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:6 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB3036PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥27.1182 

阶梯数 价格
6: ¥27.1182
10: ¥21.4646
50: ¥20.7939
100: ¥20.1231
500: ¥19.8356
850 当前型号
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78

¥8.6807 

阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
0 对比
PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78

¥11.1096 

阶梯数 价格
20: ¥11.1096
50: ¥9.1062
0 对比
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