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PSMN013-100BS,118  与  IRFS4510PBF  区别

型号 PSMN013-100BS,118 IRFS4510PBF
唯样编号 A-PSMN013-100BS,118 A-IRFS4510PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK N-Channel 100 V 13.9 mO 87 nC Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.9mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W 140W(Tc)
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 68A 61A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 3195pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥7.3276
400+ :  ¥6.2098
800+ :  ¥5.6971
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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¥23.8471 

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1: ¥23.8471
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