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PSMN013-100BS,118  与  IRF8010SPBF  区别

型号 PSMN013-100BS,118 IRF8010SPBF
唯样编号 A-PSMN013-100BS,118 A-IRF8010SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 260W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 68A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
输入电容 3195pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥7.3276
400+ :  ¥6.2098
800+ :  ¥5.6971
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404

¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
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TO-263

暂无价格 0 对比
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N10S3L-12_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
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TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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