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PSMN012-60YS,115  与  BSC110N06NS3GATMA1  区别

型号 PSMN012-60YS,115 BSC110N06NS3GATMA1
唯样编号 A-PSMN012-60YS,115 A-BSC110N06NS3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),50W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 89W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 30V
输出电容 245pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 59A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 23uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 10V
输入电容 1685pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 11.1mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 7 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.0952
100+ :  ¥3.86
1,000+ :  ¥3.1639
1,500+ :  ¥2.7512
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN012-60YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-60YS_SOT669 N-Channel 89W 175℃ 3V 60V 59A

¥5.0952 

阶梯数 价格
1: ¥5.0952
100: ¥3.86
1,000: ¥3.1639
1,500: ¥2.7512
7 当前型号
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