制造商编号 | PSMN012-60YS,115 |
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商品别名 | PSMN012-60YS |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-PSMN012-60YS,115 |
供货 | 自营 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT669 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 11.1mΩ@10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 89W | |
工作温度 | 175℃ | |
栅极电压Vgs | 3V | |
漏源极电压Vds | 60V | |
输入电容 | 1685pF | |
输出电容 | 245pF | |
连续漏极电流Id | 59A |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥3.5137 总价:¥1,335.206 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:1,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
起订量:380 | 倍数:1 |
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN012-60YS_SOT669 N-Channel 89W 175℃ 3V 60V 59A |
¥3.5137
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7,507 | 当前型号 | ||||||||
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC100N06LS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC110N06NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC110N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC110N06NS3GATMA1_60V 50A 9mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC100N06LS3GATMA1_60V 50A 7.8mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |