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PSMN009-100B,118  与  IRFS4310ZTRLPBF  区别

型号 PSMN009-100B,118 IRFS4310ZTRLPBF
唯样编号 A-PSMN009-100B,118 A36-IRFS4310ZTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W 250W(Tc)
输出电容 620pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 127A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 8250pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
9+ :  ¥6.138
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 当前型号
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥6.138 

阶梯数 价格
9: ¥6.138
97 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
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IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.38 

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8: ¥6.38
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¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
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暂无价格 0 对比

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