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PSMN008-75B,118  与  IRL3705NSTRLPBF  区别

型号 PSMN008-75B,118 IRL3705NSTRLPBF
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-IRL3705NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 230W 3.8W(Ta),170W(Tc)
输出电容 525pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 89A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 5260pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
200+ :  ¥9.705
400+ :  ¥7.9549
800+ :  ¥6.9173
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥9.705 

阶梯数 价格
200: ¥9.705
400: ¥7.9549
800: ¥6.9173
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB80N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S207ATMA1_75V 80A 6.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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