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PSMN008-75B,118  与  IPB80N08S2-07  区别

型号 PSMN008-75B,118 IPB80N08S2-07
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-IPB80N08S2-07
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ
上升时间 - 50ns
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W 300W
输出电容 525pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 61ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 5260pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 8.5mΩ@10V -
下降时间 - 30ns
典型接通延迟时间 - 26ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥9.705
400+ :  ¥7.9549
800+ :  ¥6.9173
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥9.705 

阶梯数 价格
200: ¥9.705
400: ¥7.9549
800: ¥6.9173
0 当前型号
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STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB80N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S207ATMA1_75V 80A 6.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

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±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比

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