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PMV50ENEAR  与  FDN337N  区别

型号 PMV50ENEAR FDN337N
唯样编号 A-PMV50ENEAR A36-FDN337N
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.51W 500mW(Ta)
输出电容 55pF -
栅极电压Vgs ±20V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A 2.2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
输入电容 276pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 43mΩ@3.9A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 39 8,532
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥1.4522
100+ :  ¥1.0757
1,000+ :  ¥0.8339
1,500+ :  ¥0.6835
3,000+ :  ¥0.6158
60+ :  ¥0.9966
200+ :  ¥0.6875
1,500+ :  ¥0.6248
3,000+ :  ¥0.5841
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23

¥1.4522 

阶梯数 价格
10: ¥1.4522
100: ¥1.0757
1,000: ¥0.8339
1,500: ¥0.6835
3,000: ¥0.6158
39 当前型号
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
35,888 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6396 

阶梯数 价格
80: ¥0.6396
200: ¥0.4134
1,500: ¥0.3588
3,000: ¥0.3172
16,929 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,532 对比

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