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PHP33NQ20T,127  与  IRFB4620PBF  区别

型号 PHP33NQ20T,127 IRFB4620PBF
唯样编号 A-PHP33NQ20T,127 A-IRFB4620PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 72.5mΩ
上升时间 - 22.4ns
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 37S
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32.7A 25A
配置 - Single
输入电容 1870pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 14.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 50V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 230W 144W
输出电容 230pF -
典型关闭延迟时间 - 25.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 77mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 13.4ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥9.9423
50+ :  ¥8.1494
暂无价格
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