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PHP33NQ20T,127  与  IRFB38N20DPBF  区别

型号 PHP33NQ20T,127 IRFB38N20DPBF
唯样编号 A-PHP33NQ20T,127 A-IRFB38N20DPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 230W 3.8W(Ta),300W(Tc)
输出电容 230pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32.7A 38A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
输入电容 1870pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 77mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥9.9423
50+ :  ¥8.1494
暂无价格
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